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SI2318CDS-T1-GE3-JSM
1个N沟道 耐压:40V 电流:5A
- 描述
- 应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SI2318CDS-T1-GE3-JSM
- 商品编号
- C18191321
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 435pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
RTR040N03TL是一款N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺特别针对降低导通电阻进行了优化。这些器件特别适用于低电压应用，以及需要在超小外形尺寸表面贴装封装中实现低线路功率损耗的场景。
商品特性
- 30V/6.0A，RDS(ON) = 18mΩ（典型值）@VGS = 10V
- 30V/4.8A，RDS(ON) = 25mΩ（典型值）@VGS = 4.5V
- 专为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOT23封装设计
应用领域
- 电源管理
- 便携式设备
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 数码相机
- N沟道MOSFET
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