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RU20P4C-JSM
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
- 描述
- 适用于DC-DC转换、低电压电源开关及负载控制应用，提供低导通电阻和出色的性能表现，是现代电子设备的理想功率管理组件。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- RU20P4C-JSM
- 商品编号
- C18191276
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 78mΩ@2.5V,2.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 672pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
商品概述
RQJ0303PGDQATL 是一款 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造，具有出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于作为负载开关，或用于大多数同步降压转换器应用中的脉宽调制（PWM）和栅极电荷电路。
商品特性
- -30V / -4.3A，VGS = -10V 时，RDS(ON) = 37mΩ（典型值）
- -30V / -3.0A，VGS = -4.5V 时，RDS(ON) = 52mΩ（典型值）
- 超低导通电阻 RDS(ON) 的超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合 RoHS 标准
- SOT23-3L 封装设计
应用领域
- 高频负载点同步电路
- 笔记本电脑（MB）/ 上网本（NB）/ 超便携个人电脑（UMPC）/ 视频图形阵列（VGA）的降压转换器
- DC/DC 转换器
- 负载开关
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