温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
AM2336N-T1-JSM
1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
- 描述
- 适用于一般开关和低压电源电路、电流能力强、导通电阻低。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- AM2336N-T1-JSM
- 商品编号
- C18190282
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 52mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 99pF |
商品概述
SI2305CDS-T1-GE3 是一款采用高单元密度先进沟槽技术制造的 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于需要低电压应用和极小外形尺寸表面贴装封装以降低线路功耗的场景。
商品特性
- 电流能力强
- 导通电阻低
应用领域
- 用于一般开关和低压电源电路