温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FQA65N20-JSM
1个N沟道 耐压:200V 电流:60A
- 描述
- 特性：快速开关。 100%雪崩测试。 改进的dv/dt能力。应用：开关模式电源（SMPS）。 不间断电源（UPS）
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- FQA65N20-JSM
- 商品编号
- C18188692
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.766667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 48mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 450W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 244nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.538nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 657pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = 60V，漏极电流（ID） = 20A，当栅源电压（VGS） = 10V时，导通电阻（RDS(ON)） < 36mΩ
- 低栅极电荷
- 提供环保型器件
- 采用先进的高单元密度沟槽技术，实现超低导通电阻（RDS(ON)）
- 封装散热性能良好