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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FQA65N20-JSM

1个N沟道 耐压:200V 电流:60A

描述
特性:快速开关。 100%雪崩测试。 改进的dv/dt能力。应用:开关模式电源(SMPS)。 不间断电源(UPS)
品牌名称
JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
FQA65N20-JSM
商品编号
C18188692
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
5.766667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)200V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@10V
耗散功率(Pd)450W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)244nC@10V
输入电容(Ciss)3.538nF
反向传输电容(Crss)280pF
工作温度-55℃~+175℃
类型-
输出电容(Coss)657pF

商品概述

这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻(RDS(on))。它可用于多种应用场景。

商品特性

  • 快速开关
  • 100%雪崩测试
  • 改善的 dv/dt 能力

应用领域

  • 开关模式电源 (SMPS)
  • 不间断电源 (UPS)
  • 功率因数校正 (PFC)

数据手册PDF