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SI2305CDS-T1-GE3-JSM
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
- 描述
- 适用于各类中低电压、高效率开关应用。卓越的导通性能与低RDS(ON)，使之成为充电器、LED驱动、DC/DC转换等领域的理想选择。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- SI2305CDS-T1-GE3-JSM
- 商品编号
- C18189248
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.057克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 989pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 167pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(on)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- -20V/-4.3A,VGS = -4.5V 时,RDS(ON) = 30mΩ(典型值)
- -20V/-3.5A,VGS = -2.5V 时,RDS(ON) = 40mΩ(典型值)
- -20V/-2.0A,VGS = -1.8V 时,RDS(ON) = 56mΩ(典型值)
- -20V/-1.0A,VGS = -1.5V 时,RDS(ON) = 85mΩ(典型值)
- 专为极低 RDS(ON) 设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合 RoHS 标准
- SOT23-3 封装设计
- P 沟道
应用领域
-电源管理-便携式设备-DC/DC 转换器-负载开关-数码相机-LCD 显示器逆变器