IRFP064NPBF-JSM
1个N沟道 耐压:55V 电流:110A
描述
高密度电池设计，可实现极低的RDS。
- 品牌名称JSMSEMI(杰盛微)
商品型号
IRFP064NPBF-JSM商品编号
C18188835商品封装
TO-247AC包装方式
管装
商品毛重
5.628571克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 8mΩ@10V,59A | |
| 功率(Pd) | 200W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 170nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 480pF@25V | |
| 工作温度 | - |
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1+￥5.415￥5.7
10+￥4.8925￥5.15
45+￥4.598￥4.84￥217.8
90+￥4.275￥4.5￥202.5
450+￥4.123￥4.34￥195.3
900+￥4.066￥4.28￥192.6
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