温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
JSM20N65F
N沟道 耐压:650V 电流:20A
- 描述
- 适用于电源开关和信号控制
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- JSM20N65F
- 商品编号
- C18188898
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.9541克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46.8nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.65nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.3pF | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 282pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±30V |
商品特性
- 20.0A、650V,RDS(on)(典型值) = 0.38 Ω(VGS = 10 V 时)
- 低栅极电荷
- 低 Crss
- 100% 雪崩测试
- 快速开关
- 改进的 dv/dt 能力
应用领域
- 高频开关模式电源
- 有源功率因数校正