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IXTQ60N20T-JSM
1个N沟道 耐压:220V 电流:60A
- 描述
- 应用于高频开关电源、有源功率因数校正。
- 品牌名称
- JSMSEMI(杰盛微)
- 商品型号
- IXTQ60N20T-JSM
- 商品编号
- C18188691
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 5.680952克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 220V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V,25A | |
| 耗散功率(Pd) | 500W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 244nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.538nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 657pF |
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