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NCEP60T20A实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCEP60T20A

1个N沟道 耐压:60V 电流:200A

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描述
N沟道,60V,200A,1.8mΩ
商品型号
NCEP60T20A
商品编号
C181953
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.769克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
类型1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)200A
属性参数值
导通电阻(RDS(on))2.3Ω@10V,100A
耗散功率(Pd)255W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA

商品概述

NCEP60T20A采用超级沟槽技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。

商品特性

  • VDS = 60V,ID = 200A
  • RDS(ON) = 1.8mΩ(典型值)@ VGS = 10V
  • RDS(ON) = 2.1mΩ(典型值)@ VGS = 4.5V
  • 出色的栅极电荷×RDS(on)乘积
  • 极低的导通电阻RDS(on)
  • 工作温度175°C
  • 无铅引脚镀层
  • 100%进行UIS测试

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 非常适合高频开关和同步整流

数据手册PDF