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STD3N80K5
1个N沟道 耐压:800V 电流:2.5A
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- 描述
- N沟道800 V、2.8 Ohm典型值、2.5 A MDmesh K5功率MOSFET，DPAK封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD3N80K5
- 商品编号
- C181036
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@10V,1A | |
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 9.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 130pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 14pF |
商品概述
这些超高电压 N 沟道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh™ K5 技术设计。这使得导通电阻大幅降低，栅极电荷超低，适用于对功率密度和效率要求极高的应用。
商品特性
- 业界最低的 RDS(on) x 面积
- 业界最佳的品质因数 (FoM)
- 超低栅极电荷
- 100% 雪崩测试
- 齐纳保护
应用领域
- 开关应用