我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单工业品PCB/SMT面板定制
RU1H35L实物图
  • RU1H35L商品缩略图
  • RU1H35L商品缩略图
  • RU1H35L商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RU1H35L

1个N沟道 耐压:100V 电流:40A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
N 沟道,100V,40A,21mΩ@10V
商品型号
RU1H35L
商品编号
C180964
商品封装
TO-252-2(DPAK)​
包装方式
编带
商品毛重
0.462克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))25mΩ@10V,16A
耗散功率(Pd)97W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)44nC@10V
输入电容(Ciss)2.1nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
类型-
输出电容(Coss)250pF

商品特性

  • 100V/40A,在VGS = 10 V时,RDS(ON) = 21 mΩ(典型值)
  • 超高密度单元设计
  • 100%雪崩测试
  • 提供无铅和环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

  • 高速功率开关

数据手册PDF