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RU30L70L
P沟道高级功率MOSFET
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- 描述
- 特性：-30V/-70A，RDS(ON) = 5.5mΩ (Typ.)@VGS = -10V，RDS(ON) = 9mΩ (Typ.)@VGS = -4.5V。 低导通电阻。 超高密度单元设计。 ESD保护。 100%雪崩测试。 175℃工作温度。应用：电源管理-负载开关
- 品牌名称
- Ruichips(锐骏半导体)
- 商品型号
- RU30L70L
- 商品编号
- C180955
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.444克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V；9mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 90W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 86nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 320pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 505pF |
商品特性
- 当VGS = -10V时，RDS(ON) = 5.5 mΩ（典型值）
- 当VGS = -4.5V时，RDS(ON) = 9 mΩ（典型值）
- -30V/-70A
- 低导通电阻
- 超高密度单元设计
- 静电放电保护
- 100%雪崩测试
- 工作温度达175°C
- 提供无铅环保器件（符合RoHS标准）
应用领域
- 电源管理-负载开关