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RU2020H
1个N沟道 耐压:20V 电流:20A
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- 描述
- N 沟道，20V，20A，3.5mΩ@10V
- 品牌名称
- Ruichips(锐骏半导体)
- 商品型号
- RU2020H
- 商品编号
- C180954
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.236克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.68nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 370pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.53nF |
商品特性
- 20V/20A
- 栅源电压（VGS） = 10V 时，导通电阻（RDS(ON)） = 3.5 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 4.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） = 3.8 mΩ（典型值）
- 栅源电压（VGS） = 2.5V 时，导通电阻（RDS(ON)） = 5.6 mΩ（典型值）
- 超高密度单元设计
- 低导通电阻（RDS(ON)）
- 可靠耐用
- 提供无铅环保产品
应用领域
- 直流-直流转换器