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CSD13381F4
1个N沟道 耐压:12V 电流:2.1A
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描述
CSD13381F4 采用 1mm x 0.6mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、180mΩ、12V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD13381F4商品编号
C179868商品封装
PicoStar-3包装方式
编带
商品毛重
0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 180mΩ@500mA,4.5V | |
| 功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.4nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 200pF@6V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
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