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CSD25484F4
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.5A
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描述
CSD25484F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、109mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD25484F4商品编号
C180173商品封装
PICOSTAR-3包装方式
编带
商品毛重
0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 93mΩ@4.5V,0.5A | |
| 功率(Pd) | 500mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 950mV@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 1.415nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 230pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 7.2pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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