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TDM3412
2个N沟道 耐压:30V 电流:18A
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- 描述
- 类型 Asy.DN 漏源电压(Vdss) 30 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 9.1 导通电阻(mΩ) 10 输入电容(Ciss) 455 反向传输电容Crss(pF) 22 栅极电荷(Qg) 8
- 品牌名称
- Techcode(泰德)
- 商品型号
- TDM3412
- 商品编号
- C179164
- 商品封装
- DFN-8-EP(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.19克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 18A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17.5mΩ@4.5V,8A | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 318pF |
商品概述
TDM3412采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 通道1
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 17.5mΩ
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 10.8mΩ
- 通道2
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 16mΩ
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 10mΩ
- 高功率和电流处理能力
- ESD保护
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
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