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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V,2.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 48pF |
商品特性
- 低本征电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 39nC（典型值）。
- BVDSS = 1200V，ID = 4A
- RDS(导通)：4.0 Ω（最大值）@VG = 10V
- 100%雪崩测试
- TO - 220