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WGD7N40SE
1个N沟道 耐压:400V 电流:7A
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- 描述
- 特性：低固有电容。 出色的开关特性。 扩展的安全工作区。 无与伦比的栅极电荷：Qg = 16nC（典型值）。 BVDSS = 400V，D = 7A。 RDS(on)：1.1Ω（最大值）@VG = 10V。 100%雪崩测试
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGD7N40SE
- 商品编号
- C17702319
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V,2.0A | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 583pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.1pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 71pF |
商品特性
- 低本征电容。
- 出色的开关特性。
- 扩展的安全工作区。
- 无与伦比的栅极电荷：Qg = 41.5 nC（典型值）。
- BVDSS = 30V，ID = 85A
- RDS(on)：5.5 mΩ（最大值）@VG = 10V
- 经过100%雪崩测试