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WGD65R330L
1个N沟道 耐压:650V 电流:11A
- 描述
- 特性：超低静态漏源导通电阻：在栅源电压为10V时，RDS(ON) = 330mΩ。 超低栅极电荷：典型值Qg = 30nC。 快速开关能力。 稳健设计，具有更好的单脉冲雪崩能量性能。 改进的电磁干扰设计
- 品牌名称
- Wild Goose(威谷)
- 商品型号
- WGD65R330L
- 商品编号
- C17702376
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 330mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 86W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 50pF |
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