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MPC04N65
VDMOS 650V 4A
- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.3Ω
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MPC04N65
- 商品编号
- C17701975
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.675克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 86W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品概述
AGM665D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 650V、4A,RDS(ON)(典型值)= 2.3Ω(VGS = 10V 时)
- 低 Crss
- 快速开关
- 100% 雪崩测试
应用领域
- 充电器
- 备用电源