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MPF04N65
VDMOS 650V 4A
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.3Ω
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MPF04N65
- 商品编号
- C17701976
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.344克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 33W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
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