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MPD04N65
VDMOS 650V 4A
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- 描述
- N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.3Ω
- 品牌名称
- MP(美禄科技)
- 商品型号
- MPD04N65
- 商品编号
- C17701973
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.54克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V,2A | |
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 610pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 53pF |
商品特性
- N沟道，常电平
- 极低导通电阻RDS(on)
- 出色的栅极电荷x RDS(on)乘积（品质因数）
- 极低反向恢复电荷(Qrr)
- 高雪崩能量额定值
- 175°C工作温度
- 针对高频开关和顶部散热优化
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 根据IEC61249 - 2 - 21标准为无卤产品
- 根据J - STD - 020标准归类为MSL 1级