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MPF20N50

VDMOS 500V 20A

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描述
N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):0.24Ω
品牌名称
MP(美禄科技)
商品型号
MPF20N50
商品编号
C17701970
商品封装
TO-220F​
包装方式
管装
商品毛重
2.73克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)20A
导通电阻(RDS(on))300mΩ@10V
耗散功率(Pd)88W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)54nC@10V
输入电容(Ciss)3.059nF
反向传输电容(Crss)16pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)291pF

商品概述

AGM12N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可提供极低的RDS(ON)。 该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

商品特性

  • 先进的高单元密度沟槽技术
  • 低RDS(ON),可最大限度降低传导损耗
  • 低栅极电荷,实现快速开关
  • 低热阻
  • 100%雪崩测试
  • 100% DVDS测试

应用领域

  • MB/VGA内核电压
  • 开关电源二次侧同步整流器
  • 负载点应用
  • 无刷直流电机驱动器

数据手册PDF