- 引脚图
- 焊盘图
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APT65GP60B2G
APT65GP60B2G
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT65GP60B2G
- 商品编号
- C17643235
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 833W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 210nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 30ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 91ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低导通损耗
- 400V、54A条件下可实现100kHz运行
- 低栅极电荷
- 400V、76A条件下可实现50kHz运行
- 超快尾电流关断
- 具备SSOA额定值
- 1726703
- 622-025-260-052
- SI82390AD-ASR
- 09185205911
- VS-VSKU91/06
- DA7218-EVAL
- ZSS-132-05-T-D-817
- SIT9365AC-2E2-25N50.000000
- EVAL-ADCM
- TFM-140-02-S-D-LC
- CTSFW1365F-150M
- SIT8208AI-82-33S-66.600000
- SG-8018CB 106.9200M-TJHSA0
- 9001K2L35R21H13
- K88X-CD-37S-BRJ
- EHT-105-01-S-D-RA
- 25QHM53C1.5-67.500
- 11_NEX10-50-0-X150/003_-E
- TFM-105-12-S-D-LC-P-TR
- TG25C60
- RM102PJ120CS