商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 175W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 70A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 3.1nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- 高速沟槽+场截止IGBT 4技术
- 低压降、低漏电流、低开关损耗
- 极低的杂散电感
- 内置用于温度监测的热敏电阻
应用领域
太阳能转换器、不间断电源
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 175W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 70A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 3.1nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
太阳能转换器、不间断电源