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IGBT管/模块
APTGTQ100H65T3G
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此图展示了型号为 APTGTQ100H65T3G 的引脚布局
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此图展示了型号为 APTGTQ100H65T3G 的焊盘布局
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对比
APTGTQ100H65T3G
APTGTQ100H65T3G
品牌名称
MICROCHIP(美国微芯)
商品型号
APTGTQ100H65T3G
商品编号
C17647843
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
IGBT管/模块
IGBT类型
-
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
100A
属性
参数值
耗散功率(Pd)
250W
栅极阈值电压(Vge(th))
-
输入电容(Cies)
6nF@25V
工作温度
-40℃~+175℃@(Tj)
数据手册PDF
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