- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT80GP60J
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 462W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极电流(Ic) | 151A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | - | |
| 输入电容(Cies) | 9.84nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 在400V、39A条件下可实现100kHz运行
- 低栅极电荷
- 在400V、59A条件下可实现50kHz运行
- 超快尾电流关断
- 具备安全工作区额定值
- VS-30APF10-M3
- NTE6400
- 14311615106000
- 2029138-6
- FR40KR05
- SJ6012NRP
- GCM216R72A682MA37J
- SG-8018CE 14.745560M-TJHPA0
- SIT8208AI-22-25E-31.250000
- SIT9365AI-1E2-30N74.175824
- TFR36PA10
- SIT1602BI-12-18S-38.000000
- GCM1885C1H751GA16D
- SIT8208AC-2F-28E-28.636300T
- S733025T-8.000-15-R
- XBDAWT-02-0000-00000LEC1
- 638-026-331-056
- SG-8018CE 36.3000M-TJHSA0
- ZST-110-09-G-D-1290
- 1N3165
- 22-4625-70