- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 480W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 140A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 200A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.1V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 7.2nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 400pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 300pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 260ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 420ns | |
| 导通损耗(Eon) | 10mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 10mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 170ns | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
VCES = 1200V，IC = 100A（在Tc = 80°C时），引脚1/2、3/4、5/6必须短接在一起。IGBT器件规格，但输出电流必须限制在75A，以确保连接器的温度变化不超过30°C。
商品特性
- 快速沟槽+场截止IGBT3技术
- 低压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20kHz
- 软恢复并联二极管
- 低二极管VF
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA额定
- 极低杂散电感
- 用于温度监测的内部热敏电阻
- 高集成度
应用领域
交流和直流电机控制、开关模式电源、功率因数校正
- TSS-107-05-L-D-RA-06
- SIT8208AI-81-18S-26.000000
- FS55MR12W1M1HB11NPSA1
- XMLBWT-00-0000-000HT40E8
- PETC-02-12-02-01-L-VT
- XQAAWT-02-0000-00000HZF8
- 4302R-122G
- XPEWHT-L1-0000-00KE3
- MDB1-21PL2-2
- 5055670981
- 0814-0-15-01-34-27-04-0
- 420B1V0420
- SIT1602BI-31-XXN-24.000000
- SIT8209AC-83-33E-156.257812
- 1-521383-3
- TFM-142-02-S-D-P
- ISS1-02-L
- 0705430073
- 732-8052-10 WA
- 3QHM572D0.5-112.120
- 1731110264