商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 72A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 416W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 518nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 14nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | 5.13nF |
商品特性
- 功率半导体
- 超低 RDSon
- 低米勒电容
- 超低栅极电荷
- 雪崩能量额定
- 非常坚固
- 极低杂散电感
- 对称设计
- 内置用于温度监测的热敏电阻
- 高度集成
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制