商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 28A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V,14A | |
| 耗散功率(Pd) | 277W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.507nF@25V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| 配置 | 半桥 |
商品特性
-超低导通电阻RDS(ON)-低米勒电容-超低栅极电荷-具备雪崩能量额定值-坚固耐用-极低杂散电感-对称设计-内置用于温度监测的热敏电阻-高度集成
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制