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场效应管(MOSFET)
APTC80H15T1G
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引脚图
此图展示了型号为 APTC80H15T1G 的引脚布局
焊盘图
此图展示了型号为 APTC80H15T1G 的焊盘布局
温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
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对比
APTC80H15T1G
4个N沟道 耐压:800V 电流:28A
品牌名称
MICROCHIP(美国微芯)
商品型号
APTC80H15T1G
商品编号
C17571976
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)
数据手册
商品参数
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属性
参数值
商品目录
场效应管(MOSFET)
数量
4个N沟道
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
28A
导通电阻(RDS(on))
150mΩ@10V,14A
耗散功率(Pd)
277W
属性
参数值
阈值电压(Vgs(th))
3.9V
栅极电荷量(Qg)
180nC@10V
输入电容(Ciss)
4.507nF@25V
工作温度
-40℃~+150℃@(Tj)
配置
半桥
数据手册PDF
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