商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 15.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 2.2nF |
商品特性
- 功率 MOS 7 MOSFET 管
- 低导通电阻(RDSon)
- 低输入电容和米勒电容
- 低栅极电荷
- 快速本征反向二极管
- 额定雪崩能量
- 坚固耐用
- 开尔文源极,易于驱动
- 极低杂散电感
- 对称设计
- M5 功率连接器
- 高度集成
应用领域
-电机控制-开关模式电源-不间断电源
- IH10BQ100K
- 3QHM572D3.0-49.250
- PMEG050V150EPD146
- 5502207812F
- IPL1-106-02-F-S-K
- 334-10-162-00-050000
- 101990863
- SIT1602BI-71-33E-38.400000
- SIT9365AC-1B1-25N106.250000
- 4445-09K
- AE90-682K-RC
- 667-262-NF-N8
- 521073-2
- 4761-0-15-80-47-27-10-0
- 104920-3
- N3431-5202RB
- 3QHM53C0.25-12.500
- P50LE-068P1-RR1-DA
- GRA.1S.269.GS
- 3QHM572D0.25-72.500
- 11_TNC-50-4-61/133_NH

