商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 348mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 780W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 374nC | |
| 输入电容(Ciss) | 10.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 输出电容(Coss) | 1.54nF |
商品概述
Power MOS V® 是新一代高压 N 沟道增强型功率 MOSFET。这项新技术将 JFET 效应降至最低，提高了封装密度并降低了导通电阻。Power MOS V® 还通过优化栅极布局实现了更快的开关速度。
商品特性
-功率MOS快恢复外延二极管场效应晶体管(FREDFET)-低导通电阻(Rdson)-低输入电容和米勒电容-低栅极电荷-快速本征反向二极管-雪崩能量额定值-高耐用性-开尔文源极,便于驱动-极低杂散电感-对称设计-M5电源连接器-高度集成
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制
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