- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 90A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 694W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 246nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 11.2nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - |
商品特性
- 漏源击穿电压（V_DSS） = 500V
- 导通电阻（R_DSon） = 38mΩ（典型值，结温Tj = 25°C）
- 漏极电流（I_D） = 90A（壳温Tc = 25°C）
- 源极电流（I_S） ≤ -90A
- 电流变化率（di/dt） ≤ 700A/μs
- 反向电压（V_R） ≤ 漏源击穿电压（V_DSS）
- 结温（T_j） ≤ 150°C