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SJMN60R38F
1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
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- 描述
- N沟道,600V,11A,380mA@10V
- 商品型号
- SJMN60R38F
- 商品编号
- C174339
- 商品封装
- TO-220F-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.3克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@10V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 792pF |
商品概述
NCE0103M采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压 (VDS) = 100V，漏极电流 (ID) = 3A
- 栅源电压 (VGS) = 10V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 160 mΩ（典型值：136 mΩ）
- 栅源电压 (VGS) = 4.5V 时，漏源导通电阻 (RDS(ON)) < 170 mΩ（典型值：140 mΩ）
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 出色的封装，散热性能良好
应用领域
- 电源开关应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源
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