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DMN2008LFU-13
2个N沟道 耐压:20V 电流:14.5A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2008LFU-13
- 商品编号
- C17340449
- 商品封装
- UDFN2030-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.045克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 14.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.6mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.418nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(on)，同时保持卓越的开关性能，非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低栅极阈值电压-低输入电容-快速开关速度-静电放电保护栅极-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电源管理功能-电池组-负载开关