- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN33D9LV-7A
2个N沟道 耐压:30V 电流:350mA
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- 描述
- 这款MOSFET旨在最小化导通电阻（RDS(ON)），同时保持卓越的开关性能，非常适合用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN33D9LV-7A
- 商品编号
- C17343766
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024302克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 430mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11pF |
商品概述
这款MOSFET旨在将导通电阻 RDS(ON) 降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-静电放电保护栅极-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-电机控制-电源管理功能-DC-DC转换器-背光照明
- SIT1602BI-82-XXE-65.000000
- SXO75P3A481-200.000M
- G125-MH12005L1P
- 660-023M19H4-01
- SDCL1V3015-4R7M-R
- S4008VS2TP
- CMCP797V-M8
- SG-8018CB 4.3320M-TJHSA0
- A3UL-TBW-2A2C-M
- SFH210-PPEC-D05-ID-BK
- 620AA028M08
- G-NSDOG2-200 W/CAL CERT G-NSMIS-005
- 936050041
- UES1305SM/TR
- 0554-0-15-15-21-14-10-0
- SIT9365AI-1E2-33E122.880000
- TFM-110-02-S-D-SN-TR
- S73305T-32.000-X-CT
- SI8261BAD-C-ISR
- 25QHM53C2.0-94.000
- BZD27C30PHRVG