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DMG1016VQ-13
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:870mA 电流:640mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG1016VQ-13
- 商品编号
- C17340547
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.024克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 640mA；870mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 400mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 530mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 740pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 60.67pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极阈值电压 VGS(TH) < 1 V
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 互补对MOSFET
- 超小型表面贴装封装
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该产品符合AEC-Q101标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,且在通过IATF 16949认证的工厂制造
应用领域
-开关