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ZXMHC10A07T8TA
N沟道+P沟道 耐压:100V 电流:1.4A
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- 描述
- 这款新一代互补式 MOSFET H 桥的特点是在低栅极驱动下可实现低导通电阻。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMHC10A07T8TA
- 商品编号
- C17342650
- 商品封装
- SOT-223-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.29克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45Ω@6V,0.9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.5nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 141pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 全桥 | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13.1pF |
商品概述
ARF1510是四个采用H桥配置的射频功率晶体管。它适用于高达40 MHz的高功率科学、医疗和工业射频功率发生器及放大器应用中的离线300V操作。
商品特性
- 高性能功率射频封装。
- 极高的击穿电压，增强耐用性。
- 低热阻。
- 采用氮化物钝化芯片，提高可靠性。
- 符合RoHS标准
应用领域
- 高功率科学射频功率发生器及放大器应用
- 高功率医疗射频功率发生器及放大器应用
- 高功率工业射频功率发生器及放大器应用