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DMN3060LVT-7实物图
  • DMN3060LVT-7商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMN3060LVT-7

2个N沟道 耐压:30V 电流:3.6A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMN3060LVT-7
商品编号
C17337327
商品封装
TSOT-26​
包装方式
编带
商品毛重
0.044克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.6A
导通电阻(RDS(on))150mΩ@3.3V,1.5A
耗散功率(Pd)1.16W
阈值电压(Vgs(th))-
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11.3nC@10V
输入电容(Ciss)395pF
反向传输电容(Crss)26pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)39pF

商品概述

这款MOSFET旨在最小化导通电阻(RDS(ON)),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。

商品特性

  • 额定温度可达+175°C,适用于高环境温度环境
  • 生产过程中进行100%非钳位电感开关(UIS)测试,确保终端应用更可靠、更耐用
  • 低RDS(ON),确保导通损耗最小化
  • 低导通电阻
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • 可焊侧翼,便于光学检测
  • 完全无铅,完全符合RoHS标准
  • 无卤素和锑,“绿色”器件

应用领域

  • 无线充电
  • DC-DC转换器
  • 电源管理

数据手册PDF