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DMN3190LDWQ-7
2个N沟道 耐压:30V 电流:1A
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- 描述
- 这款MOSFET专为满足汽车应用的严格要求而设计。它符合AEC-Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）支持，非常适合用于以下场景：电机控制、DC-DC转换器、负载开关。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3190LDWQ-7
- 商品编号
- C17339822
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.030646克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 335mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 87pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 栅极具备静电放电(ESD)保护
- 完全无铅且符合RoHS标准
- 无卤素和锑,属于“绿色”器件
- 符合AEC-Q101标准,具备高可靠性
- 支持生产件批准程序(PPAP)
应用领域
- 电机控制
- 直流-直流转换器
- 负载开关