- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT35GP120J
商品参数
参数完善中
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 800V、14A时可50kHz运行
- 低栅极电荷
- 20kHz运行，800V、25A
- 超快尾电流关断
- 具有反向偏置安全工作区（RBSOA）额定值
- MAX17609EVKIT#
- 0908143210
- S318025T-20.000-X-R
- 516-056-520-566
- 5055670331
- SG-8018CE 107.9640M-TJHSA0
- AWH 34G-0222-IDC
- LXZ2-3590-5
- PA2607.121NLT
- SG-8018CE 137.5000M-TJHSA0
- 2011970383
- XTEAWT-E0-0000-00000HH2E
- GP55-2051-FTW
- C3291-49.152
- SIT8208AI-8F-28E-66.600000X
- 630-13W6640-4T5
- SKYA21041
- LTMM-125-02-L-D-SM
- EHF-113-01-LM-D-SM
- KF85X-BD-25P-K
- SPMWH12224D5W8UKSA