- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APT35GP120J
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 284W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 64A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 140A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.3V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.24nF | |
| 输出电容(Coes) | 248pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 31pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 16ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 94ns；147ns | |
| 导通损耗(Eon) | 750uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 680uJ；1.744mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
POWER MOS 7 IGBT是新一代高压功率IGBT。该IGBT采用穿通技术，非常适合许多高频、高压开关应用，并且针对高频开关模式电源进行了优化。
商品特性
- 低传导损耗
- 800V、14A时可50kHz运行
- 低栅极电荷
- 20kHz运行，800V、25A
- 超快尾电流关断
- 具有反向偏置安全工作区（RBSOA）额定值
- MAX17609EVKIT#
- 0908143210
- S318025T-20.000-X-R
- 516-056-520-566
- 5055670331
- SG-8018CE 107.9640M-TJHSA0
- AWH 34G-0222-IDC
- LXZ2-3590-5
- PA2607.121NLT
- SG-8018CE 137.5000M-TJHSA0
- 2011970383
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- SKYA21041
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- KF85X-BD-25P-K
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