APT100GT120JU3
APT100GT120JU3
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- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT100GT120JU3
- 商品编号
- C17299066
- 商品封装
- SOT-227
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 480W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 140A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 280A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.7V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 6.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 7.2nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 400pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 300pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 260ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 420ns | |
| 导通损耗(Eon) | 10mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 12mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 370ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 沟槽+场截止IGBT3技术
- 低压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20 kHz
- 软恢复并联二极管
- 低二极管正向压降
- 低泄漏电流
- 反向偏置安全工作区(RBSOA)和短路安全工作区(SCSOA)额定
- ISOTOP封装(SOT - 227),极低杂散电感,高集成度
- 低传导损耗
- 稳定的温度特性
- 非常坚固
- 可直接安装到散热器(隔离封装)
- 低结到外壳热阻
- 由于VCEsat的正温度系数(TC),易于并联
- 符合RoHS标准
应用领域
交流和直流电机控制、开关模式电源
- ISDF-16-D
- SIT9365AI-2E3-25E133.333333
- SIT8008AI-12-18E-37.087912
- RSF1A-564-JBW
- 360-10-144-00-001000
- 1-2232572-2
- M39029/17-172
- 19430105425
- SXO75C3A161-12.000M
- XLL528200.000000X
- SIT8208AC-81-28S-16.368000
- SIT8208AC-23-18S-24.576000
- SIT8208AC-21-18S-24.000000
- DDMAY50SNM
- M39029/58-363
- SIT1602BC-12-XXN-33.333000
- 3-644575-8
- 8D011W05BD
- 6ESRMC2
- SIT8208AC-22-28E-27.000000
- SIT1602BC-73-33N-65.000000

