APTCV50H60T3G

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APTCV50H60T3G
商品编号: C17299751
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

顶部开关采用沟槽+场截止IGBT3，底部开关采用超结MOSFET。所有多个输入和输出必须短接在一起，如13/14、22/23、29/30、31/32。沟槽+场截止IGBT3的Q1、Q3：集射极耐压V_CES = 600V；集电极电流I_C = 50A（壳温Tc = 80°C）。超结MOSFET的Q2、Q4：漏源极耐压V_DSS = 600V；漏极电流I_D = 49A（壳温Tc = 25°C）

商品特性

Q2、Q4超结MOSFET：超低导通电阻RDSon、低米勒电容、超低栅极电荷、雪崩能量额定
Q1、Q3沟槽+场截止IGBT3：低压降、开关频率高达20kHz、反向偏置安全工作区和短路安全工作区额定、低拖尾电流、开尔文发射极便于驱动、极低杂散电感、高集成度、内置热敏电阻用于温度监测

应用领域

太阳能转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	NPT(非穿通型)；FS(场截止)
	耗散功率(Pd)	176W
	集射极击穿电压(Vces)	600V

	属性	参数值
	集电极电流(Ic)	80A
	栅极阈值电压(Vge(th))	-
	输入电容(Cies)	3.15nF@25V
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)