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APTCV60HM45BC20T3G

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APTCV60HM45BC20T3G
商品编号: C17299761
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

全桥 + 升压斩波器 CoolMOS 和沟槽 + 场截止 IGBT3 功率模块。CoolMOS Q2、Q4：漏源极击穿电压 V_DSS = 600V，导通电阻 R_DSon 最大为 45mΩ，在结温 Tj = 25°C 时。沟槽 + 场截止 IGBT3 Q1、Q3：集射极击穿电压 V_CES = 600V，集电极电流 I_C = 50A（在壳温 Tc = 80°C 时）。应用于太阳能转换器。

商品特性

所有多输入和输出必须 7/24 或 5/26 短接在一起
Q2、Q4 和 Q5 CoolMOS：超低导通电阻 R_DSon，低米勒电容，超低栅极电荷，雪崩能量额定
Q1、Q3 沟槽 + 场截止 IGBT3：低压降，开关频率高达 20kHz，反向偏置安全工作区和短路安全工作区额定，低尾电流
FWD SiC 肖特基二极管（CR5）：零反向恢复，零正向恢复，温度无关的开关特性，正向电压 VF 正温度系数，极低杂散电感，开尔文源便于驱动，内置热敏电阻用于温度监测，高度集成
优化传导和开关损耗，可直接安装到散热器（隔离封装），结到壳热阻低，功率和信号端子均可焊接便于 PCB 安装，低外形，由于集射极饱和电压 V_CEsat 的正温度系数 T_C 便于并联，符合 RoHS 标准

应用领域

太阳能转换器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	FS(场截止)
	耗散功率(Pd)	250W
	集射极击穿电压(Vces)	600V

	属性	参数值
	集电极电流(Ic)	50A
	栅极阈值电压(Vge(th))	-
	输入电容(Cies)	3.15nF@25V
	工作温度	-40℃~+150℃@(Tj)