APT80GA90LD40

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT80GA90LD40
商品编号: C17297346
商品封装: TO-264
包装方式: 管装
商品毛重: 12.04克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	PT(穿通型)
	耗散功率(Pd)	625W
	集射极击穿电压(Vces)	900V
	集电极电流(Ic)	145A
	集电极脉冲电流(Icm)	239A
	集电极截止电流(Ices)	-
	集射极饱和电压(VCE(sat))	2.5V
	栅极阈值电压(Vge(th))	3.1V@15V,47A
	栅极电荷量(Qg)	200nC

	属性	参数值
	输入电容(Cies)	4.56nF
	输出电容(Coes)	411pF
	反向传输电容(Cres)	62pF
	开启延迟时间(Td(on))	18ns
	关断延迟时间(Td(off))	149ns
	导通损耗(Eon)	1.652mJ
	关断损耗(Eoff)	1.389mJ
	反向恢复时间(Trr)	25ns
	工作温度	-55℃~+150℃

商品概述

POWER MOS 8（上标圈）是一种高速穿通型开关模式 IGBT。通过领先的硅设计和寿命控制工艺实现了低 Eoff。与其他 IGBT 技术相比，降低的 Eoff - VCE(ON) 权衡带来了卓越的效率。低栅极电荷和大大降低的 Cres/Cies 比值提供了出色的抗噪性、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的固有芯片栅极电阻和电容有助于在开关期间控制 di/dt，即使在高频开关时也能实现低 EMI。

商品特性

快速开关，低 EMI
极低的 Eoff，实现最大效率
超低的 Cres，提高抗噪性
低传导损耗
低栅极电荷
增加固有栅极电阻，实现低 EMI
符合 RoHS 标准

应用领域

ZVS 移相和其他全桥、半桥、高功率 PFC 升压、焊接、UPS、太阳能和其他逆变器、高频高效工业应用

数据手册PDF

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