APT80GA90LD40
APT80GA90LD40
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT80GA90LD40
- 商品编号
- C17297346
- 商品封装
- TO-264
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 12.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 625W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 900V | |
| 集电极电流(Ic) | 145A | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.1V@15V,47A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 18ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 149ns | |
| 反向恢复时间(Trr) | 25ns | |
| 工作温度 | - |
商品概述
POWER MOS 8（上标圈）是一种高速穿通型开关模式 IGBT。通过领先的硅设计和寿命控制工艺实现了低 Eoff。与其他 IGBT 技术相比，降低的 Eoff - VCE(ON) 权衡带来了卓越的效率。低栅极电荷和大大降低的 Cres/Cies 比值提供了出色的抗噪性、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的固有芯片栅极电阻和电容有助于在开关期间控制 di/dt，即使在高频开关时也能实现低 EMI。
商品特性
- 快速开关，低 EMI
- 极低的 Eoff，实现最大效率
- 超低的 Cres，提高抗噪性
- 低传导损耗
- 低栅极电荷
- 增加固有栅极电阻，实现低 EMI
- 符合 RoHS 标准
应用领域
ZVS 移相和其他全桥、半桥、高功率 PFC 升压、焊接、UPS、太阳能和其他逆变器、高频高效工业应用