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IRF7328TRPBF
2个P沟道 耐压:30V 电流:8A
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7328TRPBF
- 商品编号
- C169770
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.178克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 32mΩ@4.5V,6.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 2.675nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 262pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 409pF |
商品概述
新型沟槽式HEXFET®功率MOSFET采用先进的加工技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的坚固耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可用于电池和负载管理应用。
商品特性
- 沟槽技术
- 超低导通电阻
- 双P沟道MOSFET
- 提供卷带包装
- 无铅
应用领域
- 电池和负载管理应用