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IRF7204TRPBF
停产 1个P沟道 耐压:20V 电流:5.3A
- 描述
- P沟道,-20V,-5.3A,0.06Ω@-10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7204TRPBF
- 商品编号
- C169768
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.167克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.3A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
国际整流器公司（International Rectifier）的第四代 HEXFET 采用先进的加工技术，以实现单位硅面积尽可能低的导通电阻。这一优势，再结合 HEXFET 功率 MOSFET 闻名的快速开关速度和坚固的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效的器件，可用于各种应用。 SO - 8 封装通过定制引线框架进行了改进，以增强热特性和双芯片能力，使其非常适合各种功率应用。通过这些改进，在应用中使用多个器件时可大幅减少电路板空间。该封装适用于气相、红外或波峰焊接技术。在典型的 PCB 安装应用中，功率耗散可能超过 0.8W。
商品特性
~~- 先进的工艺技术-超低导通电阻-表面贴装-提供卷带包装-动态 dv/dt 额定值-快速开关-无铅