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BLM8205
2个N沟道 耐压:19.5V 电流:4A
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- 描述
- N沟道，19.5V,4A
- 品牌名称
- BL(上海贝岭)
- 商品型号
- BLM8205
- 商品编号
- C169244
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 19.5V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
NCE30H29D采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于多种应用场景。
商品特性
- VDS = 19.5V,ID = 4A
- 典型值 RDS(ON) = 21 m Ω,@ VGS = 4.5 V
- 典型值 RDS(ON) = 27 m Ω,@ VGS = 2.5 V
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理
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