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ME2302
1个N沟道 耐压:20V 电流:2.8A
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- 描述
- N沟道,20V,2.8A,130mΩ@1.8V
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME2302
- 商品编号
- C165218
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.041克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 350pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
ME2302是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度的DMOS沟槽技术。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。 这些器件特别适用于低压应用，如手机、笔记本电脑电源管理及其他电池供电电路，以及需要极小外形尺寸表面贴装封装的低在线功率损耗应用。
商品特性
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) ≤ 85mΩ
- 在Vgs = 2.5V时,RDS(ON) ≤ 115mΩ
- 在Vgs = 1.8V时,RDS(ON) ≤ 135mΩ
- 超高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
-笔记本电脑电源管理-便携式设备-负载开关-数码相机