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ME4542
N沟道+P沟道 耐压:30V 电流:7.1A
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- 描述
- P+N双沟道,30V/7.1A,-30V/-6A
- 品牌名称
- MATSUKI(松木)
- 商品型号
- ME4542
- 商品编号
- C165234
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 360pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
ME4542 是 N 沟道和 P 沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度 DMOS 沟槽技术制造。这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑电源管理，以及其他需要高端开关和超低在线功率损耗的电池供电电路，采用超小外形表面贴装封装。
商品特性
- RDS(ON) ≤ 25mΩ@VGS=10V (N 沟道)
- RDS(ON) ≤ 40mΩ@Vgs=4.5V (N 沟道)
- RDS(ON) ≤ 35mΩ@Vgs~~- 10V (P 沟道)
- RDS(ON) ≤ 58mΩ@VGS = -4.5V (P 沟道)
- 超高密度单元设计，实现极低的 RDS(ON)
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
应用领域
- 电源管理-DC/DC 转换器-LCD 电视和显示器背光源逆变器-CCFL 逆变器-LCD 显示器背光源逆变器